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凱俠發布Twin BiCS新技術 PLC閃存越來越近了

2019-12-17| 來源:互聯網| 查看: 317| 評論: 0

摘要: 原標題:凱俠發布TwinBiCS新技術PLC閃存越來越近了來源:快科技作為NADN閃存技術的發明者,凱俠(原來的東芝存儲......
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原標題:凱俠發布Twin BiCS新技術 PLC閃存越來越近了 來源:快科技

作為NADN閃存技術的發明者,凱俠(原來的東芝存儲)在新一代閃存研發上再次甩開對手,率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術,有望成為PLC閃存的最佳搭檔。隨著3D閃存以及TLC、QLC閃存的普及,大容量SSD硬盤已經成為被桌面、筆記本及數據中心市場廣為接受。

為了進一步提高SSD容量、降低成本,閃存廠商開始推100+層堆棧的3D閃存,但是層數越多,制造難度也會增加,而且還要在每個單元內容納更多的存儲電位,挑戰很大。

凱俠推出的Twin BiCS閃存是全球首個3D半圓形分裂浮柵極閃存單元,從這個比較拗口的專業名詞中可以看出它使用的技術主要有半圓形、分裂、浮柵極,簡單來說就是將傳統的浮柵極分裂為兩個對稱的半圓形柵極,利用曲率效應提高閃存P/E編程/擦除過程中的性能。

Twin BiCS閃存的P/E操作性能對比

雖然新型閃存中也有BiCS的字樣,但是現在的BiCS閃存是基于CTP電荷捕捉原理的,在進入3D閃存時代之后,幾乎所有閃存廠商都轉向了制造更簡單的CTP技術而放棄了FG浮柵極技術,最后堅持的兩家廠商中——美光在96層閃存之后也會放棄浮柵極技術,只有Intel還在堅持FG浮柵極技術,后者性能、可靠性更好,但是制造工藝復雜。

東芝的Twin BiCS閃存技術現在又回到了浮柵極技術路線上來了,未來有可能改變全球閃存技術的走向。

對于Twin BiCS閃存技術來說,優點還有一個,那就是分裂浮柵極減少了物理尺寸,使得使得同樣的單元里可以容納更多的電位——直白點說就是,Twin BiCS閃存也給QLC之后的PLC閃存鋪平了道路。

關鍵詞 : 閃存 我要反饋 新浪科技公眾號

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